Новые тренды в технологиях
Ни для кого не секрет, что существует острая конкуренция за разработку первого твердотельного накопителя емкостью 1000 ТБ. На своем техническом мероприятии в 2022 году Samsung представила амбициозные планы по созданию более 1000 слоев в своих самых передовых чипах NAND к 2030 году. Это означает, что к тому времени может появиться твердотельный накопитель размером в петабайт.
В прошлом году компания предположила, что, возможно, им удастся достичь этой цели раньше, но, похоже, представители технологической отрасли выдавали желаемое за действительное. Тем не менее, разработка будущих технологий на чипах NAND явно продолжается. Южнокорейский гигант электроники недавно объявил, что в скором времени они начнут массовое производство своих новейших 290-слойных вертикальных NAND-чипов девятого поколения (V9), и ожидается, что они представят потрясающее 430-слойное десятое поколение (V10). Чип NAND появится в следующем году.
Хотя у нас не так много информации об усилиях компании по разработке первого твердотельного накопителя (SSD) на петабайт, в Интернете появились некоторые сведения.
В этом году на симпозиуме по СБИС-технологиям, который пройдет в Гонолулу, состоится техническая сессия, на которой выступит Гивук Ким, аспирант кафедры электротехники Корейского института передовых наук и технологий (KAIST). Исследования Кима сосредоточены на сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти на основе оксида гафния (FE-NOR), сегнетоэлектрической оперативной памяти (FeRAM) и вычислительных приложениях в оперативной памяти. Презентация будет называться «Глубокое погружение в гафниевые сегнетоэлектрики: экспериментальная демонстрация и моделирование низковольтных и высококачественных трехмерных вертикальных NAND за пределами слоя 1K».
В аннотации к статье, написанной в соавторстве с Samsung Electronics, говорится, что авторы экспериментально продемонстрировали значительное улучшение характеристик полевого транзистора металл-диэлектрик-гафний-кремний (MIHSFET).Устройство MIFIS, в состав которого входит промежуточный слой затвора на основе металла, обеспечивает максимальную положительную обратную связь (Posi.FB) двойного действия. Это обеспечивает низкое рабочее напряжение (-17/+15 В), широкий диапазон памяти (10,5 В) и минимальные помехи при напряжении смещения 9 В. Предложенная модель демонстрирует, что повышение производительности происходит за счет увеличения положительного эффекта.
Эта работа показывает, что сегнетоэлектрические материалы hafnia могут сыграть значительную роль в развитии вертикальной 3D-памяти NAND, которая находится на грани застоя. На данный момент неясно, какую роль Samsung может сыграть в процессе демонстрации, если таковая вообще будет. Тем не менее, компания является не единственным предприятием, изучающим потенциал сегнетоэлектриков hafnia.
Презентация Гивука Кима является частью симпозиума под названием «Технология энергонезависимой памяти: сегнетоэлектрические материалы на основе гафния», который проводит Деоксин Кил, руководитель отдела исследований материалов конкурирующей компании Samsung SK Hynix.
Новые тренды в технологиях
